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氮化物半导体技术——功率电子和光电子器件
¥141.8(7.5折)定价:¥189.0近年来，以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等宽禁带半导体化合物为代表的第三代半导体材料引发全球瞩目。这些第三代半导体具备耐高温、耐高压、高频率、大功率等优势，研究和利用这些半导体是助力社会节能减排并实现“双碳”目标的重要发展方向。 本书概述了氮化物半导体及其在功率电子和光电子器件中的应用，解释了这些材料的物理特性及其生长方法，详细讨论了它们在高电子迁移率晶体管、垂直型功率器件、发光二极管、激光二极管和垂直腔面发射激光器中的应用。本书
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